MOSFET测试方案简介
MOSFET（金属－氧化物半导体场效应晶体管）是常见的半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中。一般由Source（源极）， Drain（漏极），Gate（栅极），Bulk（体电极）组成。MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管等材料制作，是材料及器件研究的热点。
测试设备：4200A-SCS, 加配：中功率SMU/高功率SMU/电容测试单元CVU/超快脉冲测试单元PMU/切换开关等
测试载台：探针台／测试夹具
3000V方案：
测试载台：探针台／测试夹具
3000V方案：
测试设备：2600- PCT, 可选配：
200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置、3000V/50A高压高流配置。
测试载台：高功率探针台／测试夹具。
200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置、3000V/50A高压高流配置。
测试载台：高功率探针台／测试夹具。
1. 由于MOSFET是多端口器件，所以需要多个测量模块协同测试。
2. MOSFET的漏电越小越好，所以需要精度高的设备进行测试。
3. MOSFET动态电流范围大，测试时需要量程范围广，且量程可以自动切换的模块进行测试。
4.随着MOSFET特征尺寸越来越小，自加热效应成为影晌MOSFET可靠性的重要因素。脉冲测试可以减少自加热效应。所以MOSFET需要进行脉冲 IV测试，用以评估器件的自加热特性。
5. MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容，且与其在高频应用有密切关系。所以MOSFET的电容测试非常重要。由于MOSFET的电容是非线性，且不同频率下曲线不同，所以需要能进行多频率，多电压下的CVU进行测试。
MOSFET简介：
测试方案：
MOSFET测试难点：
1.集成化的测试系统，直流测试／CV测试／脉冲IV测试集于一体，9个卡槽灵活配置测试模块；
2.电流测试min精度10fA, 电压max值210V;四线法配置；1pF- 1uF测试量程； 土40V差分脉冲，脉宽min 10ns, 200M采样率，任意波形编辑功能；
3.自带Clarius操作软件， 图形化设计，简单易懂；丰富的测试库直接用，减少测试配置时间；附带教学视频，边学边用；
4.多种切换开关，支持SMU/PMU/CVU的自动切换，消除换线烦恼；5.提供低漏电矩阵开关，为自动化，高密度，大批量测试提供支持；
6.开放设备底层指令，附带编译软件，支持自编程
华测优势：
输出特性曲线Vds-lds
测试项目举例：
电容测试曲线
详情请致电技术热线13911821020
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