MOSFET测试方案简介
    MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)是常见的半导体器件,可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中。一般由Source(源极), Drain(漏极),Gate(栅极),Bulk(体电极)组成。MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳纳米管等材料制作,是材料及器件研究的热点。
测试设备:4200A-SCS, 加配:中功率SMU/高功率SMU/电容测试单元CVU/超快脉冲测试单元PMU/切换开关等
测试载台:探针台/测试夹具
3000V方案:
测试设备:2600- PCT, 可选配:
200V/10A低压基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高压配置、3000V/50A高压高流配置。
测试载台:高功率探针台/测试夹具。
1. 由于MOSFET是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。
2. MOSFET的漏电越小越好,所以需要精度高的设备进行测试。
3. MOSFET动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。
4.随着MOSFET特征尺寸越来越小,自加热效应成为影晌MOSFET可靠性的重要因素。脉冲测试可以减少自加热效应。所以MOSFET需要进行脉冲 IV测试,用以评估器件的自加热特性。
5. MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以MOSFET的电容测试非常重要。由于MOSFET的电容是非线性,且不同频率下曲线不同,所以需要能进行多频率,多电压下的CVU进行测试。
MOSFET简介:
测试方案:
MOSFET测试难点:
1.集成化的测试系统,直流测试/CV测试/脉冲IV测试集于一体,9个卡槽灵活配置测试模块;
2.电流测试min精度10fA, 电压max值210V;四线法配置;1pF- 1uF测试量程; 土40V差分脉冲,脉宽min 10ns, 200M采样率,任意波形编辑功能;
3.自带Clarius操作软件, 图形化设计,简单易懂;丰富的测试库直接用,减少测试配置时间;附带教学视频,边学边用;
4.多种切换开关,支持SMU/PMU/CVU的自动切换,消除换线烦恼;
5.提供低漏电矩阵开关,为自动化,高密度,大批量测试提供支持;
6.开放设备底层指令,附带编译软件,支持自编程
华测优势:
输出特性曲线Vds-lds
测试项目举例:
电容测试曲线
详情请致电技术热线13911821020